Bipolartransistoren: PNP- und NPN-Transistoren
NPN‑ und PNP‑Transistoren gehören zu den bipolaren Sperrschichttransistoren. Am Stromtransport in diesen Bauelementen sind zwei Arten von Ladungsträgern beteiligt: Elektronen und Löcher. Bipolare Transistoren entstehen durch die Kombination von drei Schichten aus P‑ und N‑dotierten Halbleitern und sind in zwei Grundvarianten erhältlich: NPN (Negativ–Positiv–Negativ) und PNP (Positiv–Negativ–Positiv).
Unabhängig von der Variante besitzen diese Transistoren immer drei Anschlüsse: E (Emitter), B (Basis) und C (Kollektor). Ein kleiner Strom, der zwischen Basis und Emitter fließt, steuert einen größeren Strom zwischen Kollektor und Emitter.
NPN-Transistor
Der NPN-Transistor ist die am häufigsten eingesetzte Form des bipolaren Transistors. Er entsteht, indem eine P‑dotierte Halbleiterschicht zwischen zwei N‑dotierten Schichten angeordnet wird. Bei diesem Typ fließt der Hauptstrom vom Kollektor zum Emitter. Der Transistor schaltet ein, sobald ein geeigneter Basisstrom fließt.
PNP-Transistor
Ein PNP-Transistor schaltet ein – das heißt, er öffnet den Stromkanal zwischen Emitter und Kollektor –, wenn ein kleiner Strom vom Emitter zur Basis fließt. Damit ein Basisstrom entstehen kann, muss die Basis gegenüber dem Emitter um etwa 0,7 V bei Silizium-Bauelementen bzw. etwa 0,3 V bei Germanium-Bauelementen negativer sein.
Der Aufbau eines PNP-Transistors ist dem eines NPN-Typs vollständig entgegengesetzt: Er besteht aus einer N‑dotierten Schicht zwischen zwei P‑dotierten Schichten. Auch PNP-Transistoren können als elektronische Schaltelemente eingesetzt werden.